厦门云天Fine Pitch光刻工艺突破2um L/S

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厦门云天Fine Pitch光刻工艺突破2um L/S

 

厦门云天半导体继九月初8&12吋 “晶圆级封装与无源器件生产线”正式通线后,经过团队的不懈努力, 8英寸晶圆Fine Pitch光刻工艺开发终破2/2um L/S大关;

以下为部分工艺条件及成果展示:

 

胶厚均匀性 3.4%

 

 

CD开口均匀性 3%

 

在Test Vehicle光罩下,测试了长线条&短线条,结果不论是在正性光阻还是负性光阻下, 2um的L/S下的线条都是完整而清晰的,而且没有任何显影不洁或过显的外观异常;

2um 短线条(光刻后)

 

2um长线条-负胶(光刻后

 

2um长线条-正胶(光刻后)

 

SEM切片效果图如下,胶厚:3.308um,CD上开口:2.272um,CD下开口:1.716um,侧壁垂直度约85.2°;

 

2um孔径SEM

 

2um长线条经过电镀及种子层刻蚀后,线宽及线距均在工艺管控范围内,未出现线路Peeling及断短路等外观异常;

 

2um长线条-负胶(电镀后)

2um长线条-负胶(PVD刻蚀后)

 

厦门云天半导体目前量产化最小L/S为10/10um,工程样品能力最小L/S为7/7um, 2/2um的L/S工艺的成功开发是二期通线后的一次重大突破。目前2/2um的L/S工艺还需进一步的开拓验证,为后续量产化的导入做足准备。厦门云天半导体将持续追求“创新、卓越、合作、奋斗”的精神,不断挑战极限、勇攀高峰!

 

 

 

2022年11月29日 17:12
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